一、單向可控硅工作原理

可控硅導通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì )處于導通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。

可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的正向電壓，使陽(yáng)極電流小于zui小維持電流以下。

二、單向可控硅的引腳區分

對可控硅的引腳區分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽(yáng)極，陰極引線(xiàn)比控制極引線(xiàn)長(cháng)。從外形無(wú)法判斷的可控硅，可用萬(wàn)用表R×100或R×1K擋，測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當萬(wàn)用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時(shí)，黑表筆所接的是控制極G，紅表筆所接的是陰極C，余下的一只管腳為陽(yáng)極A。

三、單向可控硅的性能檢測

可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。*是三個(gè)PN結應完好；第二是當陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷，不導通；第三是當控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應當導通，把控制極電流去掉，仍處于導通狀態(tài)。 
用萬(wàn)用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對前三個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個(gè)阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路，此可控硅不能使用了。 
用R×1k或R×10k擋測陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。 
用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近于零值或為無(wú)窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經(jīng)損壞。反向阻值應很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。 
萬(wàn)用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬(wàn)用表指針應不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆，陰極接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。

四、上海自動(dòng)化儀表六廠(chǎng)可控硅的使用注意事項

選用可控硅的額定電壓時(shí)，應參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應注意正常工作時(shí)導通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過(guò)相應電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現有短路或斷路現象時(shí)，應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

4、電流為以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。
上海自動(dòng)化儀表六廠(chǎng)雙向可控硅的工作原理
1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個(gè)PN結，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成

當陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。

由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。

由于可控硅只有導通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉化

2,觸發(fā)導通

在控制極G上加入正向電壓時(shí)（見(jiàn)圖5）因J3正偏，P2區的空穴時(shí)入N2區，N2區的電子進(jìn)入P2區，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用（見(jiàn)圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。